美国撤销三星、SK海力士、英特尔在华VEU豁免 存储国产化窗口期再度打开

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8月30日,《中国经营报》记者查询联邦公报(Federal Register)于2025年8月29日归档的文件了解到,特朗普政府已决定撤销三星电子、SK海力士在中国业务的“验证最终用户”(Validated End-User, VEU)授权。这一政策变动将于公告发布后120天生效,旨在进一步限制中国获取先进芯片制造技术,或将加剧全球半导体供应链的紧张局势。

探索科技首席分析师王树一对记者分析,三星与海力士在华产能可观,若美方完全切断供应链,短期内非美替代跟进难度较大,现有产能外迁亦时间不足,或将引发存储器供给紧张。

VEU是美国商务部工业与安全局(BIS)设立的一种制度,旨在简化对受信任的、低风险的外国最终用户的出口流程。被列入VEU清单的企业,可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术)而无须再单独申请出口许可证。

根据美国商务部工业与安全局修订的《出口管理条例》(EAR),美国将从中国VEU授权列表中移除三星中国半导体有限公司(Samsung China Semiconductor Co. Ltd.)、SK海力士半导体(中国)有限公司

SK hynix Semiconductor (China) Ltd.

以及英特尔半导体(大连)有限公司

Intel Semiconductor (Dalian) Ltd.

。此前,这些公司享有VEU豁免,可无须逐笔申请许可证,直接从美国进口芯片制造设备到其位于中国的工厂。撤销后,这些企业必须为每笔相关交易申请单独出口许可证。

资料显示,三星中国半导体有限公司成立于2012年,是三星电子为推进其存储芯片业务全球布局,投巨资在西安建设的半导体制造工厂。当前,三星西安工厂是全球最大的NAND闪存生产基地之一。

SK 海力士半导体(中国)有限公司成立于2005 年,位于江苏省无锡市,是存储芯片制造商韩国SK海力士最大规模海外生产基地,主要生产DRAM。

英特尔半导体(大连)有限公司成立于2006年,曾是英特尔在华重要的NAND闪存生产基地。2020年10月,SK海力士与英特尔达成协议,以90亿美元整体收购后者NAND闪存及SSD业务,交易分两个阶段,SK海力士于2021年完成对英特尔NAND和SSD业务的首笔交割,截至2025年3月,SK海力士已完成对英特尔NAND业务及大连工厂的全面收购,工厂现由SK海力士全资子公司运营。

撤销VEU意味着三家公司在中国工厂的半导体生产(如NAND、DRAM)将面临更严格审查,可能影响供应链和产能扩张。

国内集成电路行业专业人士认为,这一举措将给三星、SK海力士在华工厂带来产能冻结、资本开支被迫外迁、客户转移、供应链再分配等诸多风险。在供应链再分配方面,国产模组厂(比如江波龙、佰维、时创意)短期或受益。

国内集成电路行业专业人士亦表示,存储国产化的窗口机遇再次打开,国产存储厂商长江存储、长鑫存储将获得更明确的市场缺口和发展机遇。而中微公司、北方华创、拓荆等设备与材料的国产替代紧迫性随之上升。

报道显示,长江存储正深化与本土工具制造商,如专门从事蚀刻设备的中微公司、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创、沉积设备供应商拓荆科技的合作,加速替换外国设备。这可能提升本土公司在光刻胶、蚀刻机等领域的竞争力,甚至是成熟工艺的竞争力。

“120天的缓冲期,政策再有变化也有可能。”王树一同时指出,事件或仍有回旋余地,停产概率不高。长期来看,美国以限制中国为由损害盟友商业利益,将反噬自身,并加速非美生态壮大。

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